2N6661-E3
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| 부품 번호 | 2N6661-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 2N6661-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4199 pcs | 데이터 시트 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-39 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4 Ohm @ 1A, 10V | 전력 소비 (최대) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 25V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 90V | 상세 설명 | N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 860mA (Tc) |
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- 부품#:
2N6667G - 제조업체:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor - 기술:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB - 재고:
135032
