EPC2108ENGRT
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Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 EPC2108ENGRT 구입
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조회를 요청하다
| 부품 번호 | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| 제조사 | EPC |
| 기술 | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.772 | $0.696 | $0.622 | $0.559 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.497 | $0.435 | $0.361 | |||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | EPC2108ENGRT | 제조사 | EPC |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 102166 pcs | 데이터 시트 | EPC2108 Datasheet |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) | 연속 | eGaN® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V | 전력 - 최대 | - |
| 포장 | Original-Reel® | 패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
| 다른 이름들 | 917-EPC2108ENGRDKR | 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V, 100V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A, 500mA |
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