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EPC2101ENG

EPC2101ENG
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부품 번호 EPC2101ENG
제조사 EPC
기술 TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 13196 pcs
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부품 번호 EPC2101ENG 제조사 EPC
기술 TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 13196 pcs 데이터 시트 EPC2101 Preliminary Datasheet
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 2mA
제조업체 장치 패키지 Die 연속 eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 11.5 mOhm @ 20A, 5V 전력 - 최대 -
포장 Tray 패키지 / 케이스 Die
다른 이름들 917-EPC2101ENG
EPC2101ENGR_H5
EPC2101ENGRH5
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2.7nC @ 5V FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 GaNFET (Gallium Nitride) 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A, 38A

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