EPC2101ENG

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| 부품 번호 | EPC2101ENG |
|---|---|
| 제조사 | EPC |
| 기술 | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.994 | $3.694 | $3.395 | $3.095 | $2.896 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | EPC2101ENG | 제조사 | EPC |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 13196 pcs | 데이터 시트 | EPC2101 Preliminary Datasheet |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 2mA |
| 제조업체 장치 패키지 | Die | 연속 | eGaN® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.5 mOhm @ 20A, 5V | 전력 - 최대 | - |
| 포장 | Tray | 패키지 / 케이스 | Die |
| 다른 이름들 | 917-EPC2101ENG EPC2101ENGR_H5 EPC2101ENGRH5 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.7nC @ 5V | FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A, 38A |
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