EPC2016C
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| 부품 번호 | EPC2016C |
|---|---|
| 제조사 | EPC |
| 기술 | TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.411 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | EPC2016C | 제조사 | EPC |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 89212 pcs | 데이터 시트 | EPC2016C |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (최대) | +6V, -4V | 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 제조업체 장치 패키지 | Die | 연속 | eGaN® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 16 mOhm @ 11A, 5V | 전력 소비 (최대) | - |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | Die |
| 다른 이름들 | 917-1080-2 | 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 12 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 420pF @ 50V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 상세 설명 | N-Channel 100V 18A (Ta) Surface Mount Die | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta) |
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