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ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC
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부품 번호 ZXMC10A816N8TC
제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 113357 pcs
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부품 번호 ZXMC10A816N8TC 제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 113357 pcs 데이터 시트 ZXMC10A816N8
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.4V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 8-SOP 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 230 mOhm @ 1A, 10V 전력 - 최대 1.8W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 ZXMC10A816N8DITR 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 33 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 497pF @ 50V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 9.2nC @ 10V
FET 유형 N and P-Channel FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A

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