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DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7
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부품 번호 DMN63D8LDW-7
제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1160036 pcs
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부품 번호 DMN63D8LDW-7 제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1160036 pcs 데이터 시트 DMN63D8LDW
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 SOT-363 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.8 Ohm @ 250mA, 10V 전력 - 최대 300mW
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들 DMN63D8LDW-7TR
DMN63D8LDW7
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 22pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 870nC @ 10V
FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220mA 기본 부품 번호 DMN63D8L

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