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DMN31D5UFZ-7B

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부품 번호 DMN31D5UFZ-7B
제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 583639 pcs
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부품 번호 DMN31D5UFZ-7B 제조사 Diodes Incorporated
기술 MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 583639 pcs 데이터 시트 DMN31D5UFZ
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA
Vgs (최대) ±12V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 X2-DFN0606-3 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V 전력 소비 (최대) 393mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 3-XFDFN
다른 이름들 DMN31D5UFZ-7BDITR 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 16 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 22.2pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 220mA (Ta)

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