DMN2080UCB4-7
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| 부품 번호 | DMN2080UCB4-7 |
|---|---|
| 제조사 | Diodes Incorporated |
| 기술 | MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808- |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.05 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | DMN2080UCB4-7 | 제조사 | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET BVDSS: 8V24V X2-WLB0808- | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 419888 pcs | 데이터 시트 | DMN2080UCB4 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±8V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | X2-WLB0808-4 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 56 mOhm @ 1A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 710mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 4-XFBGA, WLBGA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 17 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 540pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | N-Channel 20V 3A (Ta) 710mW Surface Mount X2-WLB0808-4 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
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