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CY7C2165KV18-550BZXC

CY7C2165KV18-550BZXC
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부품 번호 CY7C2165KV18-550BZXC
제조사 Cypress Semiconductor
기술 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1754 pcs
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Product parameter

부품 번호 CY7C2165KV18-550BZXC 제조사 Cypress Semiconductor
기술 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1754 pcs 데이터 시트 CY7C21(63,65)KV18
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 1.7 V ~ 1.9 V 과학 기술 SRAM - Synchronous, QDR II+
제조업체 장치 패키지 165-FBGA (13x15) 연속 -
포장 Tray 패키지 / 케이스 165-LBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours) 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 SRAM 제조업체 표준 리드 타임 15 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 550MHz 165-FBGA (13x15)
클럭 주파수 550MHz

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