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CY62147G30-45B2XI

CY62147G30-45B2XI
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부품 번호 CY62147G30-45B2XI
제조사 Cypress Semiconductor
기술 IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 15595 pcs
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부품 번호 CY62147G30-45B2XI 제조사 Cypress Semiconductor
기술 IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 15595 pcs 데이터 시트 ASYNC SRAM With On-Chip ECCCY62147G/GE/2G MoBL®
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 45ns
전압 - 공급 2.2 V ~ 3.6 V 과학 기술 SRAM - Asynchronous
제조업체 장치 패키지 48-VFBGA (6x8) 연속 MoBL®
포장 Tray 패키지 / 케이스 48-VFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours) 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 SRAM 제조업체 표준 리드 타임 11 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-VFBGA (6x8)
액세스 시간 45ns

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