CY14B104NA-ZS25XE
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| 부품 번호 | CY14B104NA-ZS25XE |
|---|---|
| 제조사 | Cypress Semiconductor |
| 기술 | IC NVSRAM 4M PARALLEL |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 135 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.075 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | CY14B104NA-ZS25XE | 제조사 | Cypress Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC NVSRAM 4M PARALLEL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 2673 pcs | 데이터 시트 | CY14B104NA |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
| 전압 - 공급 | 3 V ~ 3.6 V | 과학 기술 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 제조업체 장치 패키지 | 44-TSOP II | 연속 | - |
| 포장 | Tray | 패키지 / 케이스 | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Non-Volatile | 메모리 크기 | 4Mb (256K x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | NVSRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 12 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 44-TSOP II | 액세스 시간 | 25ns |
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