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CTLDM8002A-M621H BK

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부품 번호 CTLDM8002A-M621H BK
제조사 Central Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 50V DFN6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4816 pcs
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부품 번호 CTLDM8002A-M621H BK 제조사 Central Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 50V DFN6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4816 pcs 데이터 시트 CTLDM8002A-M621H
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
Vgs (최대) 20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TLM621H 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.5 Ohm @ 500mA, 10V 전력 소비 (최대) 1.6W (Ta)
패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad 다른 이름들 CTLDM8002A-M621H BK-ND
CTLDM8002A-M621HBK
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 70pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.72nC @ 4.5V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 50V
상세 설명 P-Channel 50V 280mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA (Ta)

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