AOWF10N60
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| 부품 번호 | AOWF10N60 |
|---|---|
| 제조사 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 10A TO262F |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.306 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | AOWF10N60 | 제조사 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 10A TO262F | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 68854 pcs | 데이터 시트 | TO262F Pkg DrawingAOW(F)10N60 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-262F | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 750 mOhm @ 5A, 10V | 전력 소비 (최대) | 25W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 26 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 40nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) |
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