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AOT11S65L

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부품 번호 AOT11S65L
제조사 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
기술 MOSFET N-CH 650V 11A TO220
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 68102 pcs
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부품 번호 AOT11S65L 제조사 Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
기술 MOSFET N-CH 650V 11A TO220 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 68102 pcs 데이터 시트 AOx(F)11S65TO220 Pkg Drawing
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-220 연속 aMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 399 mOhm @ 5.5A, 10V 전력 소비 (최대) 198W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3
다른 이름들 785-1510-5
AOT11S65L-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 26 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 646pF @ 100V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 13.2nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 650V
상세 설명 N-Channel 650V 11A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc)

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