AS4C64M8D1-5TINTR
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| 부품 번호 | AS4C64M8D1-5TINTR |
|---|---|
| 제조사 | Alliance Memory, Inc. |
| 기술 | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.181 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | AS4C64M8D1-5TINTR | 제조사 | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 33184 pcs | 데이터 시트 | AS4C64M8D1 |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 전압 - 공급 | 2.3 V ~ 2.7 V | 과학 기술 | SDRAM - DDR |
| 제조업체 장치 패키지 | 66-TSOP II | 연속 | - |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 크기 | 512Mb (64M x 8) | 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 메모리 형식 | DRAM | 제조업체 표준 리드 타임 | 8 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
| 클럭 주파수 | 200MHz | 액세스 시간 | 700ps |
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