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AS4C4M32S-6BINTR

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부품 번호 AS4C4M32S-6BINTR
제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 AS4C4M32S-6BINTR 제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 23771 pcs 데이터 시트 AS4C4M32S 128Mb Datasheet
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 2ns
전압 - 공급 3 V ~ 3.6 V 과학 기술 SDRAM
제조업체 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) 연속 -
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 90-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours) 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 DRAM 제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
클럭 주파수 166MHz 액세스 시간 5.4ns

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