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AS4C16M16D1-5BCNTR

AS4C16M16D1-5BCNTR
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부품 번호 AS4C16M16D1-5BCNTR
제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 28566 pcs
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부품 번호 AS4C16M16D1-5BCNTR 제조사 Alliance Memory, Inc.
기술 IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 28566 pcs 데이터 시트 AS4C16M16D1
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
전압 - 공급 2.3 V ~ 2.7 V 과학 기술 SDRAM - DDR
제조업체 장치 패키지 60-TFBGA (8x13) 연속 -
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 60-TFBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours) 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 DRAM 제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 상세 설명 SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
클럭 주파수 200MHz 액세스 시간 700ps

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Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCNTR. AS4C16M16D1-5BCNTR 배포자 AS4C16M16D1-5BCNTR 공급 업체 AS4C16M16D1-5BCNTR 가격 AS4C16M16D1-5BCNTR 다운로드 데이터 시트 AS4C16M16D1-5BCNTR 데이터 시트 AS4C16M16D1-5BCNTR Stock.AS4C16M16D1-5BCNTR을 구입하십시오 Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCNTR. Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5BCNTR.