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STDV3055L104T4G

STDV3055L104T4G
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부품 번호 STDV3055L104T4G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 185051 pcs
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부품 번호 STDV3055L104T4G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 185051 pcs 데이터 시트 NTD(V)3055L104
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA
Vgs (최대) ±15V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 104 mOhm @ 6A, 5V 전력 소비 (최대) 1.5W (Ta), 48W (Tj)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G-ND
STDV3055L104T4G-ND
STDV3055L104T4GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 440pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta)

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