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STD110N02RT4G-VF01

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부품 번호 STD110N02RT4G-VF01
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 89416 pcs
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부품 번호 STD110N02RT4G-VF01 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 24V 32A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 89416 pcs 데이터 시트 NTD110N02R, STD110N02R
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.6 mOhm @ 20A, 10V 전력 소비 (최대) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 STD110N02RT4G-VF01OSCT
STD110N02RT4G-VF01OSCT-ND
STD110N02RT4GOSCT
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 6 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3440pF @ 20V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 24V
상세 설명 N-Channel 24V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Ta)

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