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SGH10N60RUFDTU

SGH10N60RUFDTU
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부품 번호 SGH10N60RUFDTU
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 16A 75W TO3P
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 30419 pcs
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부품 번호 SGH10N60RUFDTU 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 IGBT 600V 16A 75W TO3P 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 30419 pcs 데이터 시트 SGH10N60RUFD
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.8V @ 15V, 10A 시험 조건 300V, 10A, 20 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 15ns/36ns 에너지 전환 141µJ (on), 215µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-3P 연속 -
역 회복 시간 (trr) 60ns 전력 - 최대 75W
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 30nC 상세 설명 IGBT 600V 16A 75W Through Hole TO-3P
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 30A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 16A
기본 부품 번호 SG*10N60

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