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NVTFS4C08NTAG

NVTFS4C08NTAG
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부품 번호 NVTFS4C08NTAG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 144218 pcs
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부품 번호 NVTFS4C08NTAG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 55A U8FL 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 144218 pcs 데이터 시트 NVTFS4C08N
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.2V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 5.9 mOhm @ 30A, 10V 전력 소비 (최대) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
다른 이름들 NVTFS4C08NTAGOSCT 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 40 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1113pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18.2nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 17A (Ta) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta)

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