NVMFS6H800NWFT1G
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| 부품 번호 | NVMFS6H800NWFT1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | TRENCH 8 80V NFET |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.58 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NVMFS6H800NWFT1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRENCH 8 80V NFET | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 54012 pcs | 데이터 시트 | NVMFS6H800N |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 330µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 연속 | Automotive, AEC-Q101 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.1 mOhm @ 50A, 10V | 전력 소비 (최대) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 제조업체 표준 리드 타임 | 47 Weeks |
| 무연 상태 | Lead free | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5530pF @ 40V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 85nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V | 상세 설명 | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Ta), 203A (Tc) |
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