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부품 번호 NVMFS5C612NLWFAFT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 79118 pcs
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부품 번호 NVMFS5C612NLWFAFT1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 79118 pcs 데이터 시트 NVMFS5C612NL
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 연속 Automotive, AEC-Q101
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.36 mOhm @ 50A, 10V 전력 소비 (최대) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 44 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6660pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 91nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 38A (Ta), 250A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Ta), 250A (Tc)

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