NVMFD5C478NWFT1G
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| 부품 번호 | NVMFD5C478NWFT1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.155 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NVMFD5C478NWFT1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 141136 pcs | 데이터 시트 | NVMFD5C478N |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 20µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 17 mOhm @ 7.5A, 10V | 전력 - 최대 | 3.1W (Ta), 23W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 제조업체 표준 리드 타임 | 50 Weeks |
| 무연 상태 | Lead free | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 325pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.3nC @ 10V | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Standard | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.8A (Ta), 27A (Tc) |
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