NVMD6N04R2G
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| 부품 번호 | NVMD6N04R2G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.171 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NVMD6N04R2G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 136316 pcs | 데이터 시트 | NTMD6N04, NVMD6N04 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 34 mOhm @ 5.8A, 10V | 전력 - 최대 | 1.29W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 다른 이름들 | NVMD6N04R2G-ND NVMD6N04R2GOSTR |
작동 온도 | - |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 15 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 32V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.6A |
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