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NVD20N03L27T4G

NVD20N03L27T4G
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부품 번호 NVD20N03L27T4G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 NVD20N03L27T4G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4800 pcs 데이터 시트 NTD20N03L27, NVD20N03L27
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 27 mOhm @ 10A, 5V 전력 소비 (최대) 1.75W (Ta), 74W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1260pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18.9nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta)

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