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NTR5105PT1G

NTR5105PT1G
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부품 번호 NTR5105PT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1195124 pcs
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부품 번호 NTR5105PT1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1195124 pcs 데이터 시트 NTR5105P
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 5 Ohm @ 100mA, 10V 전력 소비 (최대) 347mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 NTR5105PT1G-ND
NTR5105PT1GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 44 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30.3pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1nC @ 5V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 P-Channel 60V 196mA (Ta) 347mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 196mA (Ta)

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