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NTNS3190NZT5G

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부품 번호 NTNS3190NZT5G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 182520 pcs
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부품 번호 NTNS3190NZT5G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 182520 pcs 데이터 시트 NTNS3190NZ
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA
Vgs (최대) ±8V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 3-XLLGA (0.62x0.62) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V 전력 소비 (최대) 120mW (Ta)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 3-XFDFN
다른 이름들 NTNS3190NZT5GOSDKR 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 5 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15.8pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 N-Channel 20V 224mA (Ta) 120mW (Ta) Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 224mA (Ta)

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