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NTMSD6N303R2SG

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부품 번호 NTMSD6N303R2SG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 126520 pcs
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부품 번호 NTMSD6N303R2SG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 126520 pcs 데이터 시트 NTMSD6N303R2
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-SOIC 연속 FETKY™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 32 mOhm @ 6A, 10V 전력 소비 (최대) 2W (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도 - 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 24V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 Schottky Diode (Isolated)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta)

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