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NTMD6P02R2G

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부품 번호 NTMD6P02R2G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 139701 pcs
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부품 번호 NTMD6P02R2G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 139701 pcs 데이터 시트 NTMD6P02R2
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.2V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 8-SOIC 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V 전력 - 최대 750mW
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 NTMD6P02R2GOS
NTMD6P02R2GOS-ND
NTMD6P02R2GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 41 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 16V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V 상세 설명 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A 기본 부품 번호 NTMD6P02

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