NTD4909NA-35G
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| 부품 번호 | NTD4909NA-35G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1125 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.103 | |||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | NTD4909NA-35G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 195300 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | I-PAK |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | - | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | 작동 온도 | - |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1314pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
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