NTD4863NA-1G
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| 부품 번호 | NTD4863NA-1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NTD4863NA-1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5373 pcs | 데이터 시트 | NTD4863N |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | I-PAK |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.3 mOhm @ 30A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 990pF @ 12V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25V |
| 상세 설명 | N-Channel 25V 9.2A (Ta), 49A (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Through Hole I-PAK | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |
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