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NSVTB60BDW1T1G

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부품 번호 NSVTB60BDW1T1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 522311 pcs
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부품 번호 NSVTB60BDW1T1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 522311 pcs 데이터 시트 NSTB60BDW1T1
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 트랜지스터 유형 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
제조업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 연속 Automotive, AEC-Q101
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 22 kOhms
전력 - 최대 250mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 40 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 150mA

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