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부품 번호 NSVMMUN2112LT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 NSVMMUN2112LT1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1458631 pcs 데이터 시트 MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300µA, 10mA 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 22 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 22 kOhms
전력 - 최대 246mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 다른 이름들 NSVMMUN2112LT1G-ND
NSVMMUN2112LT1GOSTR
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 36 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 60 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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