NSVEMX1DXV6T1G
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| 부품 번호 | NSVEMX1DXV6T1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.041 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NSVEMX1DXV6T1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 542602 pcs | 데이터 시트 | EMX1DXV6T1,5 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 400mV @ 5mA, 50mA | 트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-563 | 연속 | - |
| 전력 - 최대 | 500mW | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 5 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | 180MHz | 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 180MHz 500mW Surface Mount SOT-563 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 120 @ 1mA, 6V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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