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NSV60600MZ4T3G

NSV60600MZ4T3G
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부품 번호 NSV60600MZ4T3G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 293540 pcs
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부품 번호 NSV60600MZ4T3G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PNP 60V 6A SOT223-4 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 293540 pcs 데이터 시트 NSV60600MZ4
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 60V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 350mV @ 600mA, 6A 트랜지스터 유형 PNP
제조업체 장치 패키지 SOT-223 연속 -
전력 - 최대 800mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 다른 이름들 NSV60600MZ4T3G-ND
NSV60600MZ4T3GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 11 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 100MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 800mW Surface Mount SOT-223 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 1A, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 6A
기본 부품 번호 NSS60600

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