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NSV1C301ET4G-VF01

NSV1C301ET4G-VF01
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부품 번호 NSV1C301ET4G-VF01
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 220296 pcs
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부품 번호 NSV1C301ET4G-VF01 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN 100V 3A 3DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 220296 pcs 데이터 시트 NSS1C301ET4G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 100V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300mA, 3A 트랜지스터 유형 NPN
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
전력 - 최대 2.1W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 다른 이름들 NSV1C301ET4G
NSV1C301ET4G-ND
NSV1C301ET4G-VF01-ND
NSV1C301ET4G-VF01OSTR
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 19 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 120MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 120MHz 2.1W Surface Mount DPAK IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 1A, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 3A

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