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NSS60101DMTTBG

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부품 번호 NSS60101DMTTBG
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 335289 pcs
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부품 번호 NSS60101DMTTBG 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 335289 pcs 데이터 시트 NSS60101DMT
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 60V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 180mV @ 100mA, 1A 트랜지스터 유형 2 NPN (Dual)
제조업체 장치 패키지 6-WDFN (2x2) 연속 -
전력 - 최대 2.27W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 다른 이름들 NSS60101DMTTBG-ND
NSS60101DMTTBGOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 19 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 180MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2) IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 120 @ 500mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 1A

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