NSM21356DW6T1G
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| 부품 번호 | NSM21356DW6T1G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NSM21356DW6T1G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4145 pcs | 데이터 시트 | NSM21356DW6T1G |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V, 65V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA | 트랜지스터 유형 | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 연속 | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 47 kOhms | 저항기 -베이스 (R1) | 47 kOhms |
| 전력 - 최대 | 230mW | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | - | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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