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NSBC115EPDXV6T1G

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부품 번호 NSBC115EPDXV6T1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 SS SOT563 RSTR XSTR TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부
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부품 번호 NSBC115EPDXV6T1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 SS SOT563 RSTR XSTR TR 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 932891 pcs 데이터 시트 MUN5336DW1, NSBC115EPDXV6
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300µA, 10mA 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SOT-563 연속 Automotive, AEC-Q101
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 100 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 100 kOhms
전력 - 최대 357mW 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 52 Weeks 주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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