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부품 번호 NSBA123EDXV6T1
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
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부품 번호 NSBA123EDXV6T1 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 5476 pcs 데이터 시트 NSBA114EDXV6T1,5 Series
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 5mA, 10mA 트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SOT-563 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 2.2 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 500mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 다른 이름들 NSBA123EDXV6T1OS
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant 주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 8 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
기본 부품 번호 NSBA1*

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