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부품 번호 NSB13211DW6T1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 NSB13211DW6T1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5216 pcs 데이터 시트 NSB13211DW6T1G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms, 10 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 4.7 kOhms, 10 kOhms
전력 - 최대 230mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 - 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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