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부품 번호 NJVNJD35N04T4G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 174727 pcs
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부품 번호 NJVNJD35N04T4G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 174727 pcs 데이터 시트 NJD35N04G,NJVNJD35N04x4G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 350V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 1.5V @ 20mA, 2A 트랜지스터 유형 NPN - Darlington
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
전력 - 최대 45W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 다른 이름들 NJVNJD35N04T4G-ND
NJVNJD35N04T4GOSTR
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 90MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 90MHz 45W Surface Mount DPAK IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 2000 @ 2A, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 50µA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 4A
기본 부품 번호 NJD35N04

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