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NJVMJD31CT4G-VF01

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부품 번호 NJVMJD31CT4G-VF01
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN 100V 3A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 294639 pcs
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부품 번호 NJVMJD31CT4G-VF01 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN 100V 3A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 294639 pcs 데이터 시트 MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 100V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 1.2V @ 375mA, 3A 트랜지스터 유형 NPN
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 -
전력 - 최대 1.56W 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 다른 이름들 NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G-ND
NJVMJD31CT4G-VF01OSTR
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSTR-ND
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 17 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 3MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 25 @ 1A, 4V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 50µA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 3A
기본 부품 번호 MJD31

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