NDBA180N10BT4H
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| 부품 번호 | NDBA180N10BT4H |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 180A DPAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NDBA180N10BT4H | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 180A DPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5245 pcs | 데이터 시트 | NDBA180N10B |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.8 mOhm @ 50A, 15V | 전력 소비 (최대) | 200W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6950pF @ 50V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V, 15V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 상세 설명 | N-Channel 100V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180A (Ta) |
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- 부품#:
LTC4267CGN-3#PBF - 제조업체:
ADI (Analog Devices, Inc.) - 기술:
IC POE 802.3AF PD W/REG 16-SSOP - 재고:
40995