NCV5104DR2G
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| 부품 번호 | NCV5104DR2G |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.384 | $0.37 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | NCV5104DR2G | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 105625 pcs | 데이터 시트 | NCP5104 |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 전압 - 공급 | 10 V ~ 20 V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 연속 | Automotive, AEC-Q100 |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 85ns, 35ns | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | NCV5104DR2G-ND NCV5104DR2GOSTR |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 입력 주파수 | 2 |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 34 Weeks | 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600V | 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 구동 구성 | Half-Bridge | 상세 설명 | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 250mA, 500mA | 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous |
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