MUN2213JT1G

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부품 번호	MUN2213JT1G
제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 5422 pcs
참조 가격 (US 달러)	Get a quote

제품 매개 변수

Product parameter

부품 번호	MUN2213JT1G	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	5422 pcs	데이터 시트
범주	이산 반도체 제품	전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	250mV @ 300µA, 10mA	트랜지스터 유형	NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지	SC-59	연속	-
저항기 - 이미 터베이스 (R2)	47 kOhms	저항기 -베이스 (R1)	47 kOhms
전력 - 최대	338mW	포장	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
상세 설명	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59	IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	500nA	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	100mA
기본 부품 번호	MUN2213

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