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MMFT5P03HDT1

MMFT5P03HDT1
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부품 번호 MMFT5P03HDT1
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
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부품 번호 MMFT5P03HDT1 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 4470 pcs 데이터 시트 MMFT5P03HD
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-223 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 100 mOhm @ 5.2A, 10V 전력 소비 (최대) 1.56W (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
다른 이름들 MMFT5P03HDT1OS 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount SOT-223
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta)

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