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MMBTA13LT1G

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부품 번호 MMBTA13LT1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 3152427 pcs
참조 가격
(US 달러)
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부품 번호 MMBTA13LT1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 3152427 pcs 데이터 시트 MMBT,SMMBTA(13,14)L
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 30V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 1.5V @ 100µA, 100mA 트랜지스터 유형 NPN - Darlington
제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 연속 -
전력 - 최대 225mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 다른 이름들 MMBTA13LT1GOS
MMBTA13LT1GOS-ND
MMBTA13LT1GOSTR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 36 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 125MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 10000 @ 100mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 300mA
기본 부품 번호 MMBTA13

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