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MJ11016G

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부품 번호 MJ11016G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 37059 pcs
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부품 번호 MJ11016G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 37059 pcs 데이터 시트 MJ11012,15,16
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 120V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 4V @ 300mA, 30A 트랜지스터 유형 NPN - Darlington
제조업체 장치 패키지 TO-204 (TO-3) 연속 -
전력 - 최대 200W 포장 Tray
패키지 / 케이스 TO-204AA, TO-3 다른 이름들 MJ11016GOS
작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 27 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 4MHz
상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3) IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 1000 @ 20A, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 1mA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 30A

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